サムスン、50nmプロセス技術で16GBのフラッシュメモリーを開発

2005年9月12日、韓国中央日報は、三星（サムスン）電子（Samsung Electronics Co.&knm 韓国・ソウル）が世界で初めて、16ギガビット容量のNAND型フラッシュメモリー量産技術の開発に成功したと報じた。

またサムスンは、業界最小の720万画素CMOSイメージセンサー（CIS）の発表も合わせて行い、高容量・低電力のモバイルCPU、MP3用ソリューション、スマートカード用ソリューションなど3種類の新製品の量産開始も明らかにしたという。

以下、三星電子半導体総括社長 黄昌圭（ファン・チャンギュ）氏のコメント。

「50ナノ技術を適用した今回の16ギガビットチップだけで、2010年までに総300億ドル規模の市場が創出されるだろう」

「2000年前の紙の発明が情報伝達の新紀元を開いたように、今後はフィルム、テープ、コンパクトディスク（CD）など携帯可能なあらゆる電子製品の保存装置をフラッシュメモリーが取って代わる'第２の紙革命'が始まった」