NECエレ、業界初55nmのDRAM混載LSI技術を開発>>デジタルAV、通信機器などをターゲットに2007年後半より量産開始

2006年11月7日、NECエレクトロニクス株式会社は、設計ルール55nmのシステムLSIへの大容量DRAMの搭載を実現するDRAM混載プロセス技術「UX7LSeD」を開発したことを発表した。

プレスリリース：http://www.necel.com/news/ja/archive/0611/0701.html

NECエレによると、開発したDRAM混載プロセス技術「UX7LSeD」によって、現行の90nmルールのDRAM混載LSIに比べて、集積度を向上しながら消費電力を削減することが可能。セットメーカーは、高性能と低消費電力を両立したセットが一層容易に実現できるようになるという。

今回発表したDRAM混載プロセス技術は、NECエレが90nm世代のDRAM混載LSIで既に製品化している、情報を記憶するための容量部であるMIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシターを形成する絶縁膜に酸化ジルコニウムを用いる技術を応用し、極薄ハフニウムシリケートと酸窒化膜を積層したゲート絶縁膜の採用と、ニッケルシリサイドのゲート電極を開発したことにより実現されている。

NECエレでは、「UX7LSeD」を用いたDRAM混載LSIを、携帯電話端末やゲーム機器などの高度な画像処理と低消費電力の両立が求められる領域向けを中心に、2007年後半を目処に製品化し、量産を開始する予定。

※DRAM混載プロセス技術「UX7LSeD」に関する詳細は、NECエレクトロニクス株式会社にお問い合わせ下さい。
http://www.necel.com