Samsungが業界初となる10nmクラスの8Gb LPDDR5 DRAMを開発
2018年7月17日、Samsung Semiconductorは、業界初となる10nmクラスの8Gb LPDDR5 DRAMを開発した事を発表した。
Samsungの発表によると、新しい「8Gb LPDDR5」のデータレートは既存のフラッグシップ製品「LPDDR4X」の1.5倍の最大6,400Mb/sで1秒間に51.2GBのデータを送信可能。動作電圧1.1V（6,400Mb/s）および1.05V（5,500Mb/s）の2つの帯域幅で利用できる。また、低消費電力機能としてアプリケーション・プロセッサの動作速度に応じて電圧を下げるアクティブモード、既存の「LPDDR4X」のアイドルモードの約半分に電力消費量を削減するディープスリープモードを提供。最大30％の消費電力を削減するという。
これら新しい「8Gb LPDDR5」のパフォーマンス向上は、DRAMセル内のメモリバンクの数を8から16に変更することや、チップの超高速性能を検証し保証する速度最適化回路アーキテクチャを使用することなどにより実現されているという話。
なお、今回発表された「8Gb LPDDR5」は未だプロトタイプの機能テストと検証が完了した段階で、量産開始時期は発表されていない。
= EDA EXPRESS 菰田 浩 =
（2018.07.18
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