東芝メモリ、QLC 96層で1.33テラビットのフラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を開発

2018年7月20日、東芝メモリはQLC技術を用いた96層積層プロセスの「BiCS FLASH™」を試作した事を発表した。

東芝はこれまでTLC（3ビット/セル）96層積層プロセスの「BiCS FLASH™」やQLC（4ビット/セル）64層積層プロセスの「BiCS FLASH™」の開発に成功しているが、96層積層プロセスを適用したQLC製品の試作は今回が初。試作した製品は1チップあたり1.33テラビットの業界最大容量を実現。更に1.33テラビットのチップをひとつのパッケージに16段積層することで2.66テラバイトの大容量を実現することが可能だという。同製品は9月上旬からサンプル提供を開始し2019年に量産開始の予定。