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MicronとIntelが業界初のQLC 3D NANDの量産出荷を開始-ダイあたり1テラビットの高密度
2018年5月21日、半導体ベンダMicron TechnologyとIntelは、業界初となるQLC（Quad Level Cell）技術を用いた3D NANDフラッシュメモリの量産出荷を発表した。
64層構造を採用した新しいQLC 3D NANDは世界最高密度となるダイ当たり1テラビットの密度を実現。これは同じ64層のTLC 3D NANDと比較して33％の密度アップとなる。両社は並行して96層構造のTLC 3D NANDも開発を進めているという。
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