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TSMCがIoT向け超低消費電力プロセスを発表-55/40/28nmの3種を追加ラインナップ
2014年9月29日、TSMCはIoTとウェアラブル・デバイス・アプリケーションをターゲットとした新しい低消費電力プロセス技術「Ultra-Low Power Technology Platform」を発表した。
発表によるとTSMCは新たな「Ultra-Low Power Technology Platform」として、既存の0.18μm、90nm、16nmプロセスに加え新たに55/40/28nmプロセスを追加ラインナップ。新たな55/40/28nmプロセスでは最大1.2GHzのプロセッシング・スピードはをサポートする。
-0.18-micron extremely low leakage (0.18eLL)
-90-nanometer ultra low leakage (90uLL)
-16-nanometer FinFET
-55/40/28-nanometer ultra-low power (55ULP/40ULP/28ULP)
TSMCによると新たな低消費電力プラットフォームは既存のプロセスよりも動作電圧が20-30%低く、アクティブ・パワーとスタンバイ・パワーの両方を削減可能。結果としてIoTやウェアラブル・デバイスのバッテリー寿命を2-10倍に伸ばすことが出来るとする。
55ULP、40ULP、28ULPについては既に先行顧客によるデザインが開始されており、リスク生産は2015年に開始される計画。日本では既に富士通セミコンダクターが28ULPにアクセスしているようだ。
尚、TSMCの「Ultra-Low Power Technology Platform」の発表に合わせ、ARMとCadenceが同プロセス技術をターゲットとしたコラボレーションを発表。両社はIoTおよびウェアラブル・デバイス・アプリケーション向けのARMベース・デザイン・ソリューションを提供する。
またCadenceはいち早く自社EDAツール及びIP製品のTSMC ULPプロセスのサポートを表明している。プレスリリース文
※TSMC
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