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eBeam Initiativeのメンバー米D2Sと日本電子が共同で22nm向けDFEBマスク技術を開発

2010年4月14日、「design-for-e-beam (DFEB) 技術」の普及・促進を目標としたフォーラムeBeam Initiativeは、パシフィコ横浜で開催中のPhotomask Japan 2010において、イニシアチブメンバーによる最近の技術成果を発表した。

プレスリリース文

発表によると、eBeam Initiativeのメンバー企業である米D2Sと日本電子は、共同で22nmプロセス・ノードをターゲットとしたDFEBマスク作成技術を開発。同技術は、プロセス微細化に伴う従来リソグラフィ手法の様々な課題を克服するもので、複雑化する次世代マスク・パターンを従来の露光時間と同等の時間で描画する事が可能。22ｎｍプロセス以降も視野に入れた革新的な技術で、193nm i線にもEUVリソグラフィにも適用できるという。

尚、eBeam Initiativeは、同技術開発の成果と合わせてeBeam Initiativeに新たにAdvanced Mask Technology Center（GLOBALFOUNDRIESとトッパンフォトマスクのジョイントベンチャー）、Fraunhofer CNT、HOYA株式会社の3社が加盟した事を発表。DFEBマスク・テクノロジを取り巻く業界エコシステムの拡充をアピールした。

※D2S社

 

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