2009年3月2日、メンターは、株式会社半導体先端テクノロジーズ(Selete)が、EUVフレアのシミュレーションと補正技術の研究に「Calibre nm Platform」を選択したことを発表した。
プレスリリース文
http://www.mentorg.co.jp/news/2009/090302.html
発表によるとSeleteは、メモリおよびロジックIC向けEUV研究プログラムにおいて、フレアのシミュレーションと補正技術の研究に「Calibre nm Platform」を採用。EUVの強いフレア効果を正確にモデル化するフレア・モデリング機能とその補正能力を評価した結果の選択だったという。EUV:Extreme UV Lithography(極端紫外線リソグラフィ)
EUVリソグラフィは22nm以降で有力視されている技術であるが、フレアと呼ばれる散乱光が問題となっており、SeleteではプロセスTEGを使い散乱光のレベルのシミュレーションや描画イメージに対する散乱光の効果の補正などについて研究している。
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