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広島大学とSTARCの開発した「HiSIM-LDMOS」が高耐圧トランジスタモデルの国際標準に

2008年1月17日、広島大学とSTARCは、両社で共同開発した高耐圧トランジスタモデル「HiSIM-LDMOS」がCMC標準モデル候補に選定された事を発表した。

プレスリリース：http://www.starc.jp/about/release/080117-j.pdf

広島大学が次世代トランジスタモデル「HiSIM」を拡張して開発した「HiSIM-LDMOS」は、2006年春から開始されたCMCによる高耐圧トランジスタLDMOSの標準モデルの選定に標準モデル候補として名乗りを挙げ、昨年の12月28日、他の候補を大きく引き離す圧倒的な支持を得てCMC標準モデル候補に選定された。今後CMCメンバーからの要求を満たした時点で国際標準モデルとして一般公開される予定だという。

次世代のトランジスタモデルの国際標準としての地位は、2005年惜しくもPhilips社とペンシルバニア大学が共同開発した「PSP」モデルに奪われた「HiSIM」であるが、その精度や計算速度の速さは非常に評価が高く、日本国内に限らず支持する声は大きい。今回の「HiSIM-LDMOS」の国際標準化は、そんな「HiSIM」の実力を見せつけた結果と言える。

※CMC：Compact Model Council　トランジスタモデルの国際標準化推進団体
http://www.eigroup.org/cmc/

※広島大学
http://www.hiroshima-u.ac.jp

※STARC：株式会社半導体理工学研究センター
http://www.starc.jp

 

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