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ニコンとシノプシス、公約通り45nm以降に向けた高精度なOPCソリューションを共同開発
2007年9月19日、ニコンとシノプシスは、シノプシスのOPCツール「Proteus」の最新版に、ニコンの半導体露光装置の固有の露光特性情報を反映させたことを発表した。
プレスリリース：http://www.synopsys.co.jp/pressrelease/2007/20070918.html
発表によると、ニコンとシノプシスは、半導体露光装置固有の露光特性情報を取り込むスキャナ・パラメータ・モジュールを共同開発し、OPCおよびRETのシミュレーション・モデルに正確な半導体製造装置モデルを反映させる手法を実現。一言で言うとニコンの半導体製造装置固有の露光特性情報をシノプシスの「Proteus」に取り込むことが可能となった。
これにより両社共通の顧客は、OPCモデルの構築時間を短縮することが可能となり、より高精度なOPCのモデリングを実現すると同時にマスク最適化に要する時間も短縮できるようになるという。
従来のOPCツールは、マスクパターンのOPC（光学近接効果補正）処理を行う際に、理想化された半導体露光装置のモデルを用いていたが、1nmレベルでの線幅制御が必要となる45nmプロセス以降ではより精度の高い処理が求められており、正確かつ予測性の高いOPCモデルが必要とされていた。
尚、今回発表された「スキャナ・パラメータ・モジュール」の開発計画は、昨年の「PHOTOMASK TECHNOLOGY CONFERENCE」で発表されたもので、ニコンとシノプシスは公約通りこの1年間で機能を実現。この新機能は、「Proteus」の最新バージョンから利用可能となる。
※「Proteus」に関する詳細は、日本シノプシス株式会社にお問い合わせ下さい。
http://www.synopsys.co.jp
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