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IBM、 Chartered、Infineon、サムスンの4社、共同開発した45nmプロセス向けデザインキットを発表>>45nm回路が稼動開始

2006年8月29日、米IBM、シンガポールChartered Semiconductor、独Infineon Technologies、韓国サムスン電子の4社は、共同開発した45nmプロセスのファーストシリコンの稼動と45nmプロセス向けデザインキットを発表した。

プレスリリース：
http://www.samsung.com/PressCenter/PressRelease/PressRelease.asp?seq=20060829_0000283494（英文）

4社共同開発による45nmプロセスのファーストシリコンは、次世代のコミュニケーション・システムをターゲットとしたもので、ニューヨーク州のIBMの300mmラインで生産。回路のスタンダード・セルとI/Oセル、ウエハー上のデバッグ用の回路はInfineonが開発し、組み込みメモリーブロックは4社で共同開発されたという。

また、発表されたデザインキットは、4社によって共同開発された45nmプロセス向け低電力化技術をベースとする、デザイン初期のキャラクタライゼーションを加速させるためのもので、特定顧客に向けて既に提供が開始されている。

共同開発された45nm低電力プロセスは、2007年度中にChartered、IBM、サムスンの3社のラインで実装される予定となっている。

※IBM社　http://www.ibm.com/jp
※Chartered Semiconductor社　http://www.charteredsemi.com
※Infineon Technologies社　http://www.infineon.jp
※Samsung Electronics社　http://www.samsung.com/jp

 

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