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東芝とNECが不揮発性磁気メモリMRAMの基盤技術を確立
2006年6月6日、東芝とNECは、256Mbit級の不揮発性メモリ(MRAM)を実用化する基盤技術を確立したと発表した。
プレスリリース：http://www.nec.co.jp/press/ja/0606/0603.html（NEC）
発表されたMRAM実用化技術は、2003年度から開始されたNEDO(独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構)のナショナルプロジェクト「不揮発性磁気メモリMRAM実用化技術の開発」の成果で、以下のプロセス要素技術で構成される。
■MTJ素子の形状や構造の最適化による誤書込み防止技術
■配線構成の改良、電流駆動の最適化により低電圧動作・高速読み書きを実現する回路技術
■MRAMの微細加工に必要な磁性体のエッチング技術など各種のプロセス技術
東芝とNECの両社は、引き続きプロセス基盤技術の共同開発を継続し、次世代のワークメモリ・システムLSI混載メモリとして注目されているMRAMの実用化に向けて取り組んでいくという。
MRAMの特長は以下の通り。
■無限回数の書き換え耐性を有するため、不揮発で完全なRAM動作が実現可能
■MTJ素子は半導体プロセスを終えた後に作製可能で、CMOSデバイスと混載しやすい
■1V級の、既存メモリの中で最も低いセル動作電圧を実現可能
■既存メモリに比べ高温での動作が可能
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