2006年2月29日、JEITA(電子情報技術産業協会)半導体部会は、2006年4月から始まる次世代半導体基盤技術の共同開発プロジェクトの概要を発表した。
プレスリリース:http://semicon.jeita.or.jp/docs/060329.pdf
共同開発は、45nm以降の製造および設計技術の開発を目指すもので、プロジェクト全体として向こう5年間で計900億円の投資を予定している。
このうち、半導体の製造技術の研究開発は、Selete(半導体先端テクノロジーズ)を中心に進められ、予算は5年間で700億円。うち200億円は、国家プロジェクトとして進められている「MIRAIプロジェクト」からの受託開発費として国が負担する。
もう一方の半導体設計技術の研究開発については、2001年より進められてきた「あすかプロジェクト」を継続する形でSTARC(株式会社半導体理工学研究センター)が担当。「あすか?プロジェクト」として、5年間で総額200億円を投資する。
STARCは、この「あすか?プロジェクト」の中で、45nm/32nm世代のDFM技術およびDFT技術、高位モデル(トランザクションレベル)からの設計技術、アナログ/ミックスド・シグナル設計技術などの研究テーマに取り組んでいくという。
※JEITA半導体部会
http://semicon.jeita.or.jp
※Selete(株式会社半導体先端テクノロジーズ)
http://www.selete.co.jp
※STARC(株式会社半導体理工学研究センター)
http://www.starc.jp
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