2006年4月17日、シノプシスは、ソニー株式会社がシノプシスの「AA-PSM技術」を採用し、高性能LSIの製造性を向上したと発表した。
※AA-PSM:Alternating Aperture Phase Shift Mask
プレスリリース:http://www.synopsys.co.jp/pressrelease/2006/20060417.html
ソニーが採用したシノプシスの「AA-PSM技術」は、シノプシスの包括的なDFMソリューションの中核をなすキー・テクノロジで、国内半導体ベンダによる同技術の採用は、東芝、NECに続き今回のソニーが3社目。
※DFM:Design for Manufacturing
この「AA-PSM技術」を用いることで、設計者は65nm以降のプロセスで厳密性が要求されるCD (Critical Dimension=線幅) 制御とシリコン上に生成されるトランジスタ・サイズの制御、およびリソグラフィー解像度の向上が可能となり、この高精度なCD制御により、チップ性能が向上し、高い歩留まりを実現。一つのウェハから設計仕様を満たしたチップをより多く生産できるようになる。
特許技術であるシノプシスのPSMテクノロジは、130nmプロセスでの製造で既にその有効性が実証されており、現在複数の半導体企業でLSI製造に用いられているという。
※シノプシスの「AA-PSM技術」に関する詳細は、日本シノプシス株式会社にお問い合わせ下さい。
http://www.synopsys.co.jp
※ソニー株式会社
http://www.sony.co.jp
|ページの先頭へ|