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アンソフト、NEC化合物デバイスのトランジスタをベースに新たなデバイス・ライブラリを開発

2006年1月17日、電磁界シミュレータ大手のアンソフトは、NEC化合物デバイス社の高性能トランジスタに対応したデバイス・ライブラリを開発したと発表した。

プレスリリース:
http://www.ansoft.com/news/press_release/060117.cfm(英文)
http://www.ansoft.co.jp/frame.asp?tm=20060119074427(国内発表情報)

発表された新しいデバイス・ライブラリには、以下の3つが含まれており、このライブラリを用いる事で低ノイズのRFチップ設計が可能となるほか、マイクロ波デバイスを用いた回路の設計を大幅に効率化することができるという。

■非線形デバイス・モデル(EEHEMTモデル)
⇒回路シミュレータ「NEXXIM」用

■Footprint情報
⇒高周波回路設計ツール「Ansoft Designer」および「NEXXIM」用

■S-parameterライブラリ:
高周波増幅器(Si、GaAsMMIC)、デュアルゲートFET、ロウ・ノイズ・バイポーラ・トランジスタ、SiGe HBT、ツイン・トランジスタ、 ロウ・ノイズGaAs FET、HBT、HJ-FET、パワー・トランジスタ/FET

尚、このデバイス・ライブラリは、NEC化合物デバイス株式会社のWebサイトからダウンロードすることができる。
http://www.ncsd.necel.com/

※アンソフト社製品に関する概要はこちら
http://www.eda-express.com/catalog/?m=agp&an=5070

※「Ansoft Designer」および「NEXXIM」に関する詳細は、アンソフト・ジャパンにお問い合わせ下さい。
http://www.ansoft.co.jp/

= EDA EXPRESS 菰田 浩 =

(2006/01/19 )

 

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