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NECエレクトロニクスと東芝、45ナノプロセス技術を共同開発
2005年11月9日、NECエレクトロニクスと東芝は、45ナノメートル世代のCMOSロジックプロセス技術を共同開発すると発表した。
プレスリリース：
http://www.necel.com/ja/news/archive/0511/0901.html（NECエレ）
http://www.toshiba.co.jp/about/press/2005_11/pr_j0902.htm（東芝）
今回発表された両社の共同開発は、微細化により、開発費用と期間が増加するシステムLSIの開発負担を両社で分担し、製品競争力の強化を目指すもので、具体的には下記2点を挙げている。
■CMOSの基幹プロセス技術開発に関しては、両社は東芝アドバンストマイクロエレクトロニクスセンター（横浜市）において、技術者を集結し共同開発を行なう
■開発成果であるプロセス技術は両社がそれぞれの生産拠点に展開できることとする
両社は、45ナノメートル・システムLSIでのプロセス技術の共同開発を機に、より包括的な提携関係構築を検討し、提携を梃子とした強いシステムLSI製品の開発、量産を通じて、世界の半導体産業界におけるリーダーを目指すという。（プレスリリース要約）
尚、NECエレクトロニクスは、昨日、次世代HDD向け半導体分野で米Link A Media Devices社との協業を発表しており、今回の発表と合わせて、低迷しているエレクトロニクス事業の立て直しを図る姿勢が見受けられる。
11月8日NECエレクトロニクスのプレスリリース：http://www.necel.com/ja/news/archive/0511/0801.html
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