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サムスン、50nmプロセス技術で16GBのフラッシュメモリーを開発
2005年9月12日、韓国中央日報は、三星（サムスン）電子（Samsung Electronics Co.&knm 韓国・ソウル）が世界で初めて、16ギガビット容量のNAND型フラッシュメモリー量産技術の開発に成功したと報じた。
またサムスンは、業界最小の720万画素CMOSイメージセンサー（CIS）の発表も合わせて行い、高容量・低電力のモバイルCPU、MP3用ソリューション、スマートカード用ソリューションなど3種類の新製品の量産開始も明らかにしたという。
以下、三星電子半導体総括社長 黄昌圭（ファン・チャンギュ）氏のコメント。
「50ナノ技術を適用した今回の16ギガビットチップだけで、2010年までに総300億ドル規模の市場が創出されるだろう」
「2000年前の紙の発明が情報伝達の新紀元を開いたように、今後はフィルム、テープ、コンパクトディスク（CD）など携帯可能なあらゆる電子製品の保存装置をフラッシュメモリーが取って代わる'第２の紙革命'が始まった」
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